삼성전자, LPDDR5X D램 업계 최고 7.5Gbps 동작 검증

 

D램이란 말은 공대학생이나, 삼성전자 주주라면 잘 알지는 못하더라도, 익숙한 용어일거라고 생각합니다.

 

DRAM은 Dynamic Random Access Memory 의 줄임말이며, 저장된 데이터가 시간과 전원의 끊김에 따라 소멸되는 특징을 갖고 있습니다.

DRAM의 한 셀당 1 Transistor 와 1 Capacitor로 구성되어있죠.

 

요즘 반도체가 워낙 작게 만들려고 노력하다보니, DRAM도 마찬가지인데요. NAND Flash와 달리 셀을 수직으로 세워서 집적도를 높일 수 없기 때문에, 집적도를 높이기 위해 다른 방법이 필요합니다.

 

여기서 간단히 디램과 낸드플래시의 차이점을 구분하자면, 디램은 휘발성,게이트가 1개 / 낸드플래시는 비휘발성이고, 게이트가 2개인 점을 말할 수 있습니다. 여기서 추가된 낸드플래시의 게이트 2개중 하나는 Floating Gate라고 하며, 이 친구 덕분에 낸드 플래시의 집적도를 높일 수 있습니다.

 

그 중 하나가 선폭을 작게하는 방법이 있는데요. 미세선폭을 사용하게 되다보니 이에 따라서 많은 메모리 공정 및 작동 이슈가 생깁니다. 예를들어 Capacitor에 누설전류가 발생하면서 데이터 저장에 차질이 생길 수 있겠죠?

이를 막기 위해서는 Capacitor의 Capacitance를 높여주면 됩니다. Capacitance를 높여주기 위해서는 면적을 늘려줘야 합니다.

면적을 늘리기 위해서는, 평면구조보다 입체구조인게 유리하겠죠? 

 

갑자기 DRAM 얘기를 한 이유는 , 삼성전자의 D램을 얘기하기 위해서였어요.

 

요즘 인공지능(AI)이 가장 핫한 이슈죠. 컴퓨터의 기능이 좋을 수록 더 빠르고, 좋은 인공지능을 사용할 수 있어요.

이 컴퓨터의 기능을 결정 짓는 요인 중 하나가 디램이랍니다.

 

삼성전자, LPDDR5X D램 업계 최고 7.5Gbps 동작 검증 – 삼성반도체이야기

 

제가 가져온 링크가 이와 관련된 글이랍니다.

 

향상된 초고해상도 영상 촬영과 인공지능(AI) 성능을 구현할 수 있다.

혁신적인 회로 설계와 저전력 동적 전압 기술(DVFS)을 구현함으로써 기존 LPDDR5 대비 소비전력을 약 20% 줄였습니다.

LPDDR5X D램은 이전 세대 제품인 LPDDR5 대비 약 1.2배 빨라졌다.

 

-> 이전에 밀고 가던 D램 제품이 LPDDR5 인데, LPDDR5X 라고 새로 만들었다. AI 성능을 구현하는데 더 좋다 이거 사라 !

     라는게 요지입니다.

 

출처 : https://www.youtube.com/watch?time_continue=112&v=rlQo1Tf7pj8&feature=emb_logo

2분 분량의 영상인데, 시간이 없는데 삼성전자의 디램에 관심이 있으신 분들은 이것만 봐도 충분하실거라고 생각합니다.